• Institut des Nanosciences de Paris - INSP

Croissance par épitaxie par jets moléculaires - MBE

  • Croissance d’échantillons épitaxiés de semi-conducteurs et métaux.

L’équipe de la plateforme MBE propose ses compétences et son expertise dans l’élaboration de couches minces, d’hétérostructures et de nanostructrures épitaxiales dans le cadre de projets scientifiques. 

Publié le 19/11/2019 - Mis à jour le 3/12/2019

Présentation

Croissance et propriétés structurales et électroniques de couches minces, d’hétérostructures et de nanostructures.

Croissance d’échantillons en épitaxie à l’état de l’art dans le cadre de projets scientifiques (semi-conducteurs III-V, lamellaires à base de Se, composés à base de Fe).

Croissance par MBE (molecular beam epitaxy, épitaxie par jets moléculaires) : MBE III-V, MBE lamellaires Se, MBE Fe. 

Ouvert aux établissements privés ou publics / Devis sur demande.

Responsable

Mahmoud Eddrief

INSP - BC 840 - 4 place Jussieu
75252 Cedex 05
Paris
Sorbonne Université - Faculté des Sciences et Ingénierie
Campus Pierre et Marie Curie
4 place Jussieu 75005 Paris
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